| номер части | TH58BVG2S3HBAI4 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND (SLC) |
| Размер памяти | 4Gb (512M x 8) |
| Частота часов | - |
| Время цикла записи - слово, страница | 25ns |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | - |
| Напряжение - Поставка | 2.7V ~ 3.6V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 63-VFBGA |
| Пакет устройств поставщика | 63-TFBGA (9x11) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
TH58BVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE | подробности |
 |
TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | подробности |
|
TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | подробности |
|
TH58BVG3S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | подробности |
|
TH58BVG3S0HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE | подробности |
|
TH58BYG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4G SLC NAND BGA 24NM | подробности |
 |
TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA | подробности |
 |
TH58BYG3S0HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V | подробности |
