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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Mémoire › TH58BVG2S3HBAI4
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Numéro d'article
TH58BVG2S3HBAI4
Fabricant
Toshiba Memory America, Inc.
Brève description
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TH58BVG2S3HBAI4 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
23620 pcs
Prix ​​de référence
USD 7.75/pcs
Notre prix
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TH58BVG2S3HBAI4 Description détaillée

Numéro d'article TH58BVG2S3HBAI4
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 25ns
Temps d'accès -
Interface de mémoire -
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 63-VFBGA
Package de périphérique fournisseur 63-TFBGA (9x11)
Poids -
Pays d'origine -

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