| 品番 | TH58BVG2S3HBAI4 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND (SLC) |
| メモリー容量 | 4Gb (512M x 8) |
| クロック周波数 | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | - |
| 電圧 - 供給 | 2.7V ~ 3.6V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 63-VFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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TH58BVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE | 詳細 |
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TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | 詳細 |
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TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | 詳細 |
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TH58BVG3S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | 詳細 |
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TH58BVG3S0HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE | 詳細 |
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TH58BYG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4G SLC NAND BGA 24NM | 詳細 |
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TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA | 詳細 |
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TH58BYG3S0HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V | 詳細 |
