日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TH58BYG2S3HBAI6
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TH58BYG2S3HBAI6 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: メモリ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 240 pcs
参考価格: USD 5.36/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TH58BYG2S3HBAI6 詳細な説明

品番	TH58BYG2S3HBAI6
部品ステータス	Active
メモリの種類	Non-Volatile
メモリフォーマット	EEPROM
技術	EEPROM - NAND
メモリー容量	4Gb (512M x 8)
クロック周波数	-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	25ns
アクセス時間	25ns
メモリインターフェイス	Parallel
電圧 - 供給	1.7 V ~ 1.95 V
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	67-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ	67-VFBGA (6.5x8)
重量	-
原産国	-

関連製品 TH58BYG2S3HBAI6

画像	品番	メーカー	説明	見る
	TH58BVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE	詳細
	TH58BVG2S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	詳細
	TH58BVG2S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	詳細
	TH58BVG3S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	詳細
	TH58BVG3S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE	詳細
	TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4G SLC NAND BGA 24NM	詳細
	TH58BYG2S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA	詳細
	TH58BYG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V	詳細