TH58BYG2S3HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TH58BYG2S3HBAI6
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	EEPROM
La technologie	EEPROM - NAND
Taille mémoire	4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	25ns
Temps d'accès	25ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	67-VFBGA
Package de périphérique fournisseur	67-VFBGA (6.5x8)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TH58BVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE	Détails
TH58BVG2S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Détails
TH58BVG2S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Détails
TH58BVG3S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Détails
TH58BVG3S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE	Détails
TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4G SLC NAND BGA 24NM	Détails
TH58BYG2S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA	Détails
TH58BYG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V	Détails