| Numéro d'article | TH58BYG2S3HBAI6 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | EEPROM |
| La technologie | EEPROM - NAND |
| Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 25ns |
| Temps d'accès | 25ns |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 67-VFBGA |
| Package de périphérique fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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TH58BVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE | Détails |
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TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | Détails |
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TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | Détails |
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TH58BVG3S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | Détails |
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TH58BVG3S0HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE | Détails |
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TH58BYG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4G SLC NAND BGA 24NM | Détails |
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TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA | Détails |
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TH58BYG3S0HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V | Détails |
