TH58BYG2S3HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Artikelnummer	TH58BYG2S3HBAI4
Teilstatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH
Technologie	FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße	4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	-
Spannungsversorgung	-
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	63-VFBGA
Lieferantengerätepaket	63-TFBGA (9x11)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TH58BVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE	Einzelheiten
TH58BVG2S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Einzelheiten
TH58BVG2S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Einzelheiten
TH58BVG3S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Einzelheiten
TH58BVG3S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE	Einzelheiten
TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4G SLC NAND BGA 24NM	Einzelheiten
TH58BYG2S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA	Einzelheiten
TH58BYG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V	Einzelheiten