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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › TH58BVG2S3HTAI0
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0 - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TH58BVG2S3HTAI0
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TH58BVG2S3HTAI0 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
TH58BVG2S3HTAI0.pdf
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
240 pcs
Referenzpreis
USD 5.38/pcs
Unser Preis
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TH58BVG2S3HTAI0 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TH58BVG2S3HTAI0
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM - NAND
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 48-TSOP I
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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