MJD31C1G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MJD31C1G |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
3A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
100V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
1.2V @ 375mA, 3A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
10 @ 3A, 4V |
Leistung max |
1.56W |
Frequenz - Übergang |
3MHz |
Betriebstemperatur |
-65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Paket / Fall |
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Lieferantengerätepaket |
I-Pak |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR MJD31C1G