MJD31C1G

MJD31C1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
MJD31C1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MJD31C1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2710 pcs
Referenzpreis
USD 0.44/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern MJD31C1G

MJD31C1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MJD31C1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Leistung max 1.56W
Frequenz - Übergang 3MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Lieferantengerätepaket I-Pak
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR MJD31C1G