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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › MJD31C1G
MJD31C1G

MJD31C1G - ON Semiconductor

Numero di parte
MJD31C1G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MJD31C1G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2710 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.44/pcs
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MJD31C1G Descrizione dettagliata

Numero di parte MJD31C1G
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Corrente - Limite del collettore (max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Potenza - Max 1.56W
Frequenza - Transizione 3MHz
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore I-Pak
Peso -
Paese d'origine -

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