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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple › MJD31C1G
MJD31C1G

MJD31C1G - ON Semiconductor

Número de pieza
MJD31C1G
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
MJD31C1G Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2710 pcs
Precio de referencia
USD 0.44/pcs
Nuestro precio
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MJD31C1G Descripción detallada

Número de pieza MJD31C1G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 100V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Corriente - corte de colector (máximo) 50µA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Potencia - Max 1.56W
Frecuencia - Transición 3MHz
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor I-Pak
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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