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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples › MJD31C1G
MJD31C1G

MJD31C1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
MJD31C1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MJD31C1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2710 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.44/pcs
Notre prix
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MJD31C1G Description détaillée

Numéro d'article MJD31C1G
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 3A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Puissance - Max 1.56W
Fréquence - Transition 3MHz
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package de périphérique fournisseur I-Pak
Poids -
Pays d'origine -

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