MJD112RL

MJD112RL - ON Semiconductor

Numéro d'article
MJD112RL
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MJD112RL Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3974 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour MJD112RL

MJD112RL Description détaillée

Numéro d'article MJD112RL
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 20µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Puissance - Max 1.75W
Fréquence - Transition 25MHz
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur DPAK-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR MJD112RL