MJD112-1G

MJD112-1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
MJD112-1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6745 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.67/pcs
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MJD112-1G Description détaillée

Numéro d'article MJD112-1G
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 20µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Puissance - Max 1.75W
Fréquence - Transition 25MHz
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package de périphérique fournisseur I-Pak
Poids -
Pays d'origine -

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