| номер части | MJD112-1G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | NPN - Darlington |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 2A |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 100V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 20µA |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Мощность - макс. | 1.75W |
| Частота - переход | 25MHz |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Пакет устройств поставщика | I-Pak |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MJD112 | FAIRC | MJD112 FAIRC TO-252.. New Original Stocks | подробности |
|
MJD112-001 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK | подробности |
|
MJD112-1G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK | подробности |
|
MJD112-RTF/E5 | ON | MJD112-RTF/E5 ON TO-252 New Original Stocks | подробности |
 |
MJD112-TP | Micro Commercial Co | TRANS NPN 100V 2A DPAK | подробности |
 |
MJD112G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | подробности |
|
MJD112L | KEC | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) | подробности |
|
MJD112RL | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | подробности |
|
MJD112RLG | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | подробности |
|
MJD112T4 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | подробности |
