MJD112-1G - ON Semiconductor

номер части	MJD112-1G
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN - Darlington
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	2A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	100V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	20µA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	1000 @ 2A, 3V
Мощность - макс.	1.75W
Частота - переход	25MHz
Рабочая Температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Пакет устройств поставщика	I-Pak
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MJD112	FAIRC	MJD112 FAIRC TO-252.. New Original Stocks	подробности
MJD112-001	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK	подробности
MJD112-1G	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK	подробности
MJD112-RTF/E5	ON	MJD112-RTF/E5 ON TO-252 New Original Stocks	подробности
MJD112-TP	Micro Commercial Co	TRANS NPN 100V 2A DPAK	подробности
MJD112G	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	подробности
MJD112L	KEC	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)	подробности
MJD112RL	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	подробности
MJD112RLG	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	подробности
MJD112T4	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	подробности