MJD112RL detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MJD112RL |
Teilstatus |
Obsolete |
Transistor-Typ |
NPN - Darlington |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
2A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
100V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
3V @ 40mA, 4A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
1000 @ 2A, 3V |
Leistung max |
1.75W |
Frequenz - Übergang |
25MHz |
Betriebstemperatur |
-65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket |
DPAK-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR MJD112RL