| Artikelnummer | MJD112-TP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 100V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 20nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Leistung max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 25MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MJD112RLG | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | Einzelheiten |
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