MJD112L - KEC

Artikelnummer: MJD112L
Hersteller: KEC
Kurze Beschreibung: EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
Bleifreier Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie: Dioden Transistor - 3
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Datumscode: New
Bestandsmenge: 7021500 pcs
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Artikelnummer	MJD112L
Package Type	SMD or Through Hole
Rohs Status	Lead free / RoHS Compliant
Description	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
MFG Part Code	MJD112L
Series	MJD1
Delivery Time	1 Day
Eigenschaften	-
Stromspannung	-
Date Code	New
Befestigungsart	-
Betriebstemperatur	-
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1
Strom	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MJD112	FAIRC	MJD112 FAIRC TO-252.. New Original Stocks	Einzelheiten
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MJD112-1G	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK	Einzelheiten
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MJD112-TP	Micro Commercial Co	TRANS NPN 100V 2A DPAK	Einzelheiten
MJD112G	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	Einzelheiten
MJD112L	KEC	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)	Einzelheiten
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