MJD112G - ON Semiconductor

Artikelnummer	MJD112G
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 2A, 3V
Leistung max	1.75W
Frequenz - Übergang	25MHz
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket	DPAK-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MJD112	FAIRC	MJD112 FAIRC TO-252.. New Original Stocks	Einzelheiten
MJD112-001	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK	Einzelheiten
MJD112-1G	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK	Einzelheiten
MJD112-RTF/E5	ON	MJD112-RTF/E5 ON TO-252 New Original Stocks	Einzelheiten
MJD112-TP	Micro Commercial Co	TRANS NPN 100V 2A DPAK	Einzelheiten
MJD112G	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	Einzelheiten
MJD112L	KEC	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)	Einzelheiten
MJD112RL	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	Einzelheiten
MJD112RLG	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	Einzelheiten
MJD112T4	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	Einzelheiten