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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple › MJD112-001
MJD112-001

MJD112-001 - ON Semiconductor

Número de pieza
MJD112-001
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
MJD112-001 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3674 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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MJD112-001 Descripción detallada

Número de pieza MJD112-001
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 100V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Corriente - corte de colector (máximo) 20µA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Potencia - Max 1.75W
Frecuencia - Transición 25MHz
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor I-Pak
Peso -
País de origen -

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