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TPD3215M - Transphorm

부품 번호: TPD3215M
제조사: Transphorm
간단한 설명: CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: TPD3215M PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 32 pcs
참고 가격: USD 196.71/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

TPD3215M 상세 설명

부품 번호	TPD3215M
부품 상태	Active
FET 유형	2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능	GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	70A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id	-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	28nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	2260pF @ 100V
전력 - 최대	470W
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
패키지 / 케이스	Module
공급 업체 장치 패키지	Module
무게	-
원산지	-

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