| Artikelnummer | TPD3215M |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Leistung max | 470W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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