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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › TPD3215M
TPD3215M

TPD3215M - Transphorm

品番
TPD3215M
メーカー
Transphorm
簡単な説明
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TPD3215M PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
32 pcs
参考価格
USD 196.71/pcs
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TPD3215M 詳細な説明

品番 TPD3215M
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 70A (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 28nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2260pF @ 100V
電力 - 最大 470W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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