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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › TPD3215M
TPD3215M

TPD3215M - Transphorm

Numero di parte
TPD3215M
fabbricante
Transphorm
Breve descrizione
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
TPD3215M Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
32 pcs
Prezzo di riferimento
USD 196.71/pcs
Il nostro prezzo
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TPD3215M Descrizione dettagliata

Numero di parte TPD3215M
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Potenza - Max 470W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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