| Numero di parte | TPD3215M |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Potenza - Max | 470W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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