| Numéro d'article | TPD3215M |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Caractéristique | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Puissance - Max | 470W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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