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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › TPD3215M
TPD3215M

TPD3215M - Transphorm

Numéro d'article
TPD3215M
Fabricant
Transphorm
Brève description
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TPD3215M Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
32 pcs
Prix ​​de référence
USD 196.71/pcs
Notre prix
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TPD3215M Description détaillée

Numéro d'article TPD3215M
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Puissance - Max 470W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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