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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Arreglos › TPD3215M
TPD3215M

TPD3215M - Transphorm

Número de pieza
TPD3215M
Fabricante
Transphorm
Breve descripción
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TPD3215M Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
32 pcs
Precio de referencia
USD 196.71/pcs
Nuestro precio
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TPD3215M Descripción detallada

Número de pieza TPD3215M
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Potencia - Max 470W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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