品番 | C3M0075120D |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 5mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 54nC @ 15V |
Vgs(最大) | +19V, -8V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1350pF @ 1000V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 113.6W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
重量 | - |
原産国 | - |