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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › C3M0065100J-TR
C3M0065100J-TR

C3M0065100J-TR - Cree/Wolfspeed

品番
C3M0065100J-TR
メーカー
Cree/Wolfspeed
簡単な説明
1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
12895 pcs
参考価格
USD 12.768/pcs
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C3M0065100J-TR 詳細な説明

品番 C3M0065100J-TR
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 5mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 35nC @ 15V
Vgs（最大） +15V, -4V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 660pF @ 600V
FET機能 -
消費電力（最大） 113.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263-7
パッケージ/ケース TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
重量 -
原産国 -

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