Numéro d'article | C3M0065100J-TR |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
Vgs (Max) | +15V, -4V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 113.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | TO-263-7 |
Paquet / cas | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Poids | - |
Pays d'origine | - |