C3M0075120J-TR - Cree/Wolfspeed

Numéro d'article	C3M0075120J-TR
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 15V
Vgs (Max)	+15V, -4V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 1000V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	113.6W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263-7
Paquet / cas	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
C3M0030090K	Cree/Wolfspeed	ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE	Détails
C3M0065090D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3	Détails
C3M0065090J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Détails
C3M0065090J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Détails
C3M0065100J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7	Détails
C3M0065100J-TR	Cree/Wolfspeed	1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET	Détails
C3M0065100K	Cree/Wolfspeed	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET	Détails
C3M0075120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC	Détails
C3M0075120J	Cree/Wolfspeed	1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET	Détails
C3M0075120J-TR	Cree/Wolfspeed	1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON	Détails