부품 번호 | C3M0075120J-TR |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 1200V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 5mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 51nC @ 15V |
Vgs (최대) | +15V, -4V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 113.6W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | TO-263-7 |
패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
무게 | - |
원산지 | - |