Numero di parte | C3M0075120J-TR |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 15V |
Vgs (massimo) | +15V, -4V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 113.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-7 |
Pacchetto / caso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Peso | - |
Paese d'origine | - |