C3M0065100K - Cree/Wolfspeed

Numero di parte	C3M0065100K
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 600V
Vgs (massimo)	+19V, -8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	113.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78 mOhm @ 20A, 15V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-4L
Pacchetto / caso	TO-247-4
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
C3M0030090K	Cree/Wolfspeed	ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE	Dettagli
C3M0065090D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3	Dettagli
C3M0065090J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Dettagli
C3M0065090J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Dettagli
C3M0065100J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7	Dettagli
C3M0065100J-TR	Cree/Wolfspeed	1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET	Dettagli
C3M0065100K	Cree/Wolfspeed	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET	Dettagli
C3M0075120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC	Dettagli
C3M0075120J	Cree/Wolfspeed	1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET	Dettagli
C3M0075120J-TR	Cree/Wolfspeed	1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON	Dettagli