| Numéro d'article | C3M0065100K |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1000V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 113.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | - |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247-4L |
| Paquet / cas | TO-247-4 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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C3M0030090K | Cree/Wolfspeed | ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE | Détails |
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C3M0065100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | Détails |
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C3M0075120J-TR | Cree/Wolfspeed | 1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON | Détails |
