C3M0030090K - Cree/Wolfspeed

Numéro d'article	C3M0030090K
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 35A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 11mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 15V
Vgs (Max)	+15V, -4V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1864pF @ 600V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	149W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-4L
Paquet / cas	TO-247-4
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
C3M0030090K	Cree/Wolfspeed	ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE	Détails
C3M0065090D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3	Détails
C3M0065090J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Détails
C3M0065090J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Détails
C3M0065100J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7	Détails
C3M0065100J-TR	Cree/Wolfspeed	1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET	Détails
C3M0065100K	Cree/Wolfspeed	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET	Détails
C3M0075120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC	Détails
C3M0075120J	Cree/Wolfspeed	1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET	Détails
C3M0075120J-TR	Cree/Wolfspeed	1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON	Détails