C3M0075120D - Cree/Wolfspeed

부품 번호	C3M0075120D
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	30A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	54nC @ 15V
Vgs (최대)	+19V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1350pF @ 1000V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	113.6W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-247-3
패키지 / 케이스	TO-247-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
C3M0030090K	Cree/Wolfspeed	ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE	세부
C3M0065090D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3	세부
C3M0065090J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	세부
C3M0065090J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	세부
C3M0065100J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7	세부
C3M0065100J-TR	Cree/Wolfspeed	1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET	세부
C3M0065100K	Cree/Wolfspeed	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET	세부
C3M0075120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC	세부
C3M0075120J	Cree/Wolfspeed	1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET	세부
C3M0075120J-TR	Cree/Wolfspeed	1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON	세부