номер части | C3M0075120D |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 1200V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30A |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 54nC @ 15V |
Vgs (Макс.) | +19V, -8V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 113.6W (Tc) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
Упаковка / чехол | TO-247-3 |
Вес | - |
Страна происхождения | - |