C3M0075120D - Cree/Wolfspeed

номер части	C3M0075120D
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	30A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	54nC @ 15V
Vgs (Макс.)	+19V, -8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1350pF @ 1000V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	113.6W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-3
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
C3M0030090K	Cree/Wolfspeed	ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE	подробности
C3M0065090D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3	подробности
C3M0065090J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	подробности
C3M0065090J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	подробности
C3M0065100J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7	подробности
C3M0065100J-TR	Cree/Wolfspeed	1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET	подробности
C3M0065100K	Cree/Wolfspeed	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET	подробности
C3M0075120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC	подробности
C3M0075120J	Cree/Wolfspeed	1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET	подробности
C3M0075120J-TR	Cree/Wolfspeed	1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON	подробности