品番 | C3M0065100J |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1000V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 15V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 5mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 15V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 660pF @ 600V |
Vgs(最大) | +15V, -4V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 113.5W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK-7 |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
重量 | - |
原産国 | - |