Número de pieza | C3M0065100J |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
Vgs (Max) | +15V, -4V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 113.5W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK-7 |
Paquete / caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Peso | - |
País de origen | - |