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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › C3M0065090J
C3M0065090J

C3M0065090J - Cree/Wolfspeed

品番
C3M0065090J
メーカー
Cree/Wolfspeed
簡単な説明
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
C3M0065090J PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
16350 pcs
参考価格
USD 10.85/pcs
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C3M0065090J 詳細な説明

品番 C3M0065090J
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 900V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 35A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 15V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.1V @ 5mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 30nC @ 15V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 660pF @ 600V
Vgs（最大） +19V, -8V
FET機能 -
消費電力（最大） 113W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 78 mOhm @ 20A, 15V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK-7
パッケージ/ケース TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
重量 -
原産国 -

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