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ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › TC58CVG2S0HRAIG
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TC58CVG2S0HRAIG
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TC58CVG2S0HRAIG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
TC58CVG2S0HRAIG.pdf
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4161 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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TC58CVG2S0HRAIG 詳細な説明

品番 TC58CVG2S0HRAIG
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット FLASH
技術 FLASH - NAND
メモリー容量 4Gb (512M x 8)
クロック周波数 104MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
アクセス時間 280µs
メモリインターフェイス SPI - Quad I/O
電圧 - 供給 2.7 V ~ 3.6 V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-WDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ 8-WSON (6x8)
重量 -
原産国 -

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