• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › TC58CVG0S3HRAIG
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TC58CVG0S3HRAIG
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TC58CVG0S3HRAIG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
TC58CVG0S3HRAIG.pdf
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3861 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG 詳細な説明

品番 TC58CVG0S3HRAIG
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット FLASH
技術 FLASH - NAND
メモリー容量 1Gb (128M x 8)
クロック周波数 104MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
アクセス時間 155µs
メモリインターフェイス SPI - Quad I/O
電圧 - 供給 2.7 V ~ 3.6 V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-WDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ 8-WSON (6x8)
重量 -
原産国 -

関連製品 TC58CVG0S3HRAIG

画像 品番 メーカー 説明 見る
TC58CVG0S3HQAIE TC58CVG0S3HQAIE Toshiba Semiconductor and Storage 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V 詳細
TC58CVG0S3HRAIG TC58CVG0S3HRAIG Toshiba Semiconductor and Storage 1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V 詳細
TC58CVG1S3HRAIG TC58CVG1S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V 詳細
TC58CVG2S0HQAIE TC58CVG2S0HQAIE Toshiba Semiconductor and Storage 4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V 詳細
TC58CVG2S0HRAIG TC58CVG2S0HRAIG Toshiba Semiconductor and Storage 4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V 詳細
TC58CYG0S3HQAIE TC58CYG0S3HQAIE Toshiba Semiconductor and Storage 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V 詳細
TC58CYG0S3HRAIG TC58CYG0S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V 詳細
TC58CYG1S3HRAIG TC58CYG1S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V 詳細
TC58CYG2S0HRAIG TC58CYG2S0HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V 詳細