| 品番 | TC58CVG0S3HRAIG |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND |
| メモリー容量 | 1Gb (128M x 8) |
| クロック周波数 | 104MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | 155µs |
| メモリインターフェイス | SPI - Quad I/O |
| 電圧 - 供給 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WSON (6x8) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
TC58CVG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | 詳細 |
|
TC58CVG0S3HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | 詳細 |
 |
TC58CVG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V | 詳細 |
|
TC58CVG2S0HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | 詳細 |
|
TC58CVG2S0HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | 詳細 |
 |
TC58CYG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V | 詳細 |
|
TC58CYG0S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | 詳細 |
|
TC58CYG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | 詳細 |
|
TC58CYG2S0HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | 詳細 |
