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ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › TC58CYG0S3HQAIE
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TC58CYG0S3HQAIE
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TC58CYG0S3HQAIE PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
TC58CYG0S3HQAIE.pdf
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
107 pcs
参考価格
USD 2.9/pcs
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TC58CYG0S3HQAIE 詳細な説明

品番 TC58CYG0S3HQAIE
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット FLASH
技術 FLASH - NAND
メモリー容量 1Gb (128M x 8)
クロック周波数 104MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
アクセス時間 155µs
メモリインターフェイス SPI
電圧 - 供給 1.7 V ~ 1.95 V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 16-SOP
重量 -
原産国 -

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