TC58CYG0S3HQAIE - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TC58CYG0S3HQAIE
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND
Dimensione della memoria	1Gb (128M x 8)
Frequenza di clock	104MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	155µs
Interfaccia di memoria	SPI
Tensione - Fornitura	1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	16-SOP
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TC58CVG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V	Dettagli
TC58CVG0S3HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V	Dettagli
TC58CVG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V	Dettagli
TC58CVG2S0HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V	Dettagli
TC58CVG2S0HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V	Dettagli
TC58CYG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V	Dettagli
TC58CYG0S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	Dettagli
TC58CYG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	Dettagli
TC58CYG2S0HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	Dettagli