TC58CYG0S3HQAIE - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TC58CYG0S3HQAIE
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND
Размер памяти	1Gb (128M x 8)
Частота часов	104MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	155µs
Интерфейс памяти	SPI
Напряжение - Поставка	1.7 V ~ 1.95 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Пакет устройств поставщика	16-SOP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TC58CVG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V	подробности
TC58CVG0S3HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V	подробности
TC58CVG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V	подробности
TC58CVG2S0HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V	подробности
TC58CVG2S0HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V	подробности
TC58CYG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V	подробности
TC58CYG0S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	подробности
TC58CYG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	подробности
TC58CYG2S0HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	подробности