| номер части | TC58CVG2S0HRAIG |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 4Gb (512M x 8) |
| Частота часов | 104MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | 280µs |
| Интерфейс памяти | SPI - Quad I/O |
| Напряжение - Поставка | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-WDFN Exposed Pad |
| Пакет устройств поставщика | 8-WSON (6x8) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
TC58CVG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | подробности |
|
TC58CVG0S3HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | подробности |
 |
TC58CVG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V | подробности |
|
TC58CVG2S0HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | подробности |
|
TC58CVG2S0HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | подробности |
 |
TC58CYG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V | подробности |
|
TC58CYG0S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | подробности |
|
TC58CYG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | подробности |
|
TC58CYG2S0HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | подробности |
