TC58CVG2S0HRAIG - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TC58CVG2S0HRAIG
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NAND
Taille mémoire	4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge	104MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	280µs
Interface de mémoire	SPI - Quad I/O
Tension - Alimentation	2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	8-WSON (6x8)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TC58CVG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V	Détails
TC58CVG0S3HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V	Détails
TC58CVG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V	Détails
TC58CVG2S0HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V	Détails
TC58CVG2S0HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V	Détails
TC58CYG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V	Détails
TC58CYG0S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	Détails
TC58CYG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	Détails
TC58CYG2S0HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	Détails