| Numéro d'article | TC58CVG2S0HRAIG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
| Fréquence d'horloge | 104MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 280µs |
| Interface de mémoire | SPI - Quad I/O |
| Tension - Alimentation | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-WDFN Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | 8-WSON (6x8) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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TC58CVG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | Détails |
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TC58CVG0S3HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | Détails |
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TC58CVG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V | Détails |
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TC58CVG2S0HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | Détails |
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TC58CVG2S0HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | Détails |
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TC58CYG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V | Détails |
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TC58CYG0S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | Détails |
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TC58CYG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | Détails |
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TC58CYG2S0HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | Détails |
