TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TC58CVG2S0HRAIG
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Memoria
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4215 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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TC58CVG2S0HRAIG Descripción detallada

Número de pieza TC58CVG2S0HRAIG
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj 104MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página -
Tiempo de acceso 280µs
interfaz de memoria SPI - Quad I/O
Suministro de voltaje 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor 8-WSON (6x8)
Peso -
País de origen -

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