TC58CYG0S3HQAIE - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TC58CYG0S3HQAIE
Teilstatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH
Technologie	FLASH - NAND
Speichergröße	1Gb (128M x 8)
Taktfrequenz	104MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	155µs
Speicherschnittstelle	SPI
Spannungsversorgung	1.7 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket	16-SOP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TC58CVG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V	Einzelheiten
TC58CVG0S3HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V	Einzelheiten
TC58CVG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V	Einzelheiten
TC58CVG2S0HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V	Einzelheiten
TC58CVG2S0HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V	Einzelheiten
TC58CYG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V	Einzelheiten
TC58CYG0S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	Einzelheiten
TC58CYG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	Einzelheiten
TC58CYG2S0HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	Einzelheiten