| Numero di parte | TC58CVG0S3HRAIG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
| Frequenza di clock | 104MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | 155µs |
| Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
| Tensione - Fornitura | 2.7 V ~ 3.6 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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TC58CVG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | Dettagli |
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TC58CVG0S3HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | Dettagli |
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TC58CVG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V | Dettagli |
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TC58CVG2S0HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | Dettagli |
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TC58CVG2S0HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | Dettagli |
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TC58CYG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V | Dettagli |
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TC58CYG0S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | Dettagli |
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TC58CYG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | Dettagli |
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TC58CYG2S0HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | Dettagli |
