SSM6J503NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	SSM6J503NU,LF
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	12.8nC @ 10V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	840pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	1W (Ta)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	6-UDFNB (2x2)
パッケージ/ケース	6-WDFN Exposed Pad
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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